[发明专利]成膜方法、成膜装置以及存储介质有效
| 申请号: | 201810480895.1 | 申请日: | 2018-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN108950520B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 入宇田启树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够利用侧流方式或横流方式的批量式的立式成膜装置来控制被处理体上的反应活性种的浓度分布的成膜技术。配置被收纳在能够保持真空的处理容器内的多个被处理体,从设置在多个被处理体的侧方的规定的位置的成膜原料气体供给部沿着多个被处理体的表面供给成膜原料气体,在利用被处理体上由成膜原料气体产生的反应活性种在多个被处理体上统一地形成规定的膜时,通过从设置在与规定的位置不同的位置的浓度调整用气体供给部向多个被处理体的表面供给浓度调整用气体,来控制多个被处理体上的反应活性种的浓度分布。 | ||
| 搜索关键词: | 方法 装置 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种成膜方法,配置被收纳在能够保持真空的处理容器内的多个被处理体,从设置在所述多个被处理体的侧方的规定的位置的成膜原料气体供给部沿着多个被处理体的表面供给成膜原料气体,利用被处理体上由成膜原料气体产生的反应活性种在多个被处理体上统一地形成规定的膜,该成膜方法的特征在于,从设置在与所述规定的位置不同的位置的浓度调整用气体供给部向所述多个被处理体的表面供给浓度调整用气体,由此控制所述多个被处理体上的所述反应活性种的浓度分布。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





