[发明专利]一种NAND参考电压测量方法、系统、设备及存储介质有效
| 申请号： | 201810479779.8 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108761170B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 韩国军;范正勤;刘文杰;方毅;蔡国发 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND参考电压测量方法、系统、设备及存储介质，其中该方法包括：获取NAND每个重叠区的电压偏移间隔及每个电压偏移间隔对应的初始参考电压；对于任一个重叠区，获取重叠区每个电压区间内单元的数量，电压区间的宽度为预设数量的电压偏移间隔的宽度；根据单元的数量及初始参考电压确定重叠区的目标参考电压；实现了对NAND持久性噪声影响下的重叠区的电压进行准确测量，与现有技术相比，在一定程度上解决了如何解决持久性噪声干扰对NAND参考电压的影响的技术问题。本发明公开的一种NAND参考电压测量系统、设备及计算机可读存储介质也解决了相应技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 参考 电压 测量方法 系统 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种NAND参考电压测量方法，其特征在于，包括：获取所述NAND每个重叠区的电压偏移间隔及每个所述电压偏移间隔对应的初始参考电压；对于任一个所述重叠区，获取所述重叠区每个电压区间内单元的数量，所述电压区间的宽度为预设数量的所述电压偏移间隔的宽度；根据所述单元的数量及所述初始参考电压确定所述重叠区的目标参考电压。
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