[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201810475345.0 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108615712A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张浩 | 申请（专利权）人： | 江苏芯澄半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 212200 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法，涉及碳化硅功率器件封装技术领域。包括正电极和负电极，所述正电极和负电极之间设有碳化硅功率器件，所述负电极下方设有封装基板，所述封装基板外侧设有外壳，所述封装基板下方设有散热器，所述封装基板和负电极之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球，所述导热金属球一端与负电极粘结，另一端与封装基板粘结，且相邻导热排的所述导热金属球之间相互抵触，并形成散热间隙。本发明可以快速有效的实现对器件内部进行散热，使内部工作环境温度较低，从而提高使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 封装基板 负电极 碳化硅功率器件 导热 导热金属 封装 宽禁带半导体 封装结构 导热层 正电极 粘结 散热器 抵触 内部工作环境 散热间隙 使用寿命 散热 | ||
【主权项】：
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：包括正电极（11）和负电极（12），所述正电极（11）和负电极（12）之间设有碳化硅功率器件（1），所述负电极（12）下方设有封装基板（4），所述封装基板（4）外侧设有外壳，所述封装基板（4）下方设有散热器（5），所述封装基板（4）和负电极（12）之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球（3），所述导热金属球（3）一端与负电极（12）粘结，另一端与封装基板（4）粘结，且相邻导热排的所述导热金属球（3）之间相互抵触，并形成散热间隙（33）。
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