[发明专利]含不对称结束单元的集成电路和含该集成电路的系统芯片在审
| 申请号： | 201810473724.6 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109473425A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘钟奎;金珉修;李大成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 可提供一种集成电路和系统芯片，该集成电路包括：在第一方向上排列的第一宏块和第二宏块；以及第一宏块和第二宏块之间的多个单元。所述多个单元包括：至少一个第一结束单元，其邻近于第一宏块，并且在第一方向上具有第一宽度；至少一个第二结束单元，其邻近于第二宏块，并且在第一方向上具有与第一宽度不同的第二宽度；以及所述至少一个第一结束单元与所述至少一个第二结束单元之间的至少一个标准单元。 | ||
| 搜索关键词： | 宏块 集成电路 邻近 标准单元 系统芯片 不对称 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：在第一方向上排列的第一宏块和第二宏块；以及所述第一宏块和所述第二宏块之间的多个单元，所述多个单元包括：至少一个第一结束单元，其邻近于所述第一宏块，所述至少一个第一结束单元在所述第一方向上具有第一宽度，至少一个第二结束单元，其邻近于所述第二宏块，所述至少一个第二结束单元在所述第一方向上具有与所述第一宽度不同的第二宽度，以及所述至少一个第一结束单元与所述至少一个第二结束单元之间的至少一个标准单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
