[发明专利]二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810471997.7 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108649117B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;曹亚庆;李飞雨;孙仲豪 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。技术要点是：在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，主电极C | ||
| 搜索关键词： | 负离子 主电极 注入区 中心对称 电极 二维电子气沟道 霍尔传感器 感测电极 耗尽型 势垒层 沟道 半导体 制作 半导体传感器 半导体异质结 电子迁移率 技术改进 技术要点 器件电压 器件结构 纵向电场 单一体 缓冲层 敏感度 外延层 衬底 束缚 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器制作方法，其特征在于，步骤如下：/nS1、准备器件基底材料，包括衬底、缓冲层、外延层和势垒层，器件基底材料依次经过丙酮、乙醇、去离子水清洗，所述清洗均为超声清洗，用氮气吹干、再用烘箱进行烘烤；/nS2、利用光刻方法定义器件台面，经过涂胶、匀胶、光刻、显影形成刻蚀窗口，然后采用湿法刻蚀方法或干法刻蚀方法刻蚀势垒层和外延层，总的刻蚀深度为100～1000nm；/nS3、利用光刻方法定义器件势垒层，经过涂胶、匀胶、光刻、显影形成离子注入窗口，然后采用ICP、RIE或者离子注入机进行负离子注入或者表面布植；/nS4、采用热处理方法激活注入的负离子，然后采用PECVD、ALD或者LPCVD方法在势垒层表面沉积介质层进行表面钝化，介质层材料采用SiO
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810471997.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
