[发明专利]一种复合终端结构的氮化镓二极管在审
| 申请号： | 201810467277.3 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108538923A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘文凯;徐尉宗;周东;陆海 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/207;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合终端结构的氮化镓二极管，包括i型GaN本征层和p型GaN接触层，复合终端结构的氮化镓二极管为准垂直p‑i‑n结构；p型GaN接触层与i型GaN本征层之间加了一层低掺杂的p型GaN过渡层。本发明复合终端结构的氮化镓二极管，经仿真结果表明，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓二极管 复合终端 本征层 反向击穿电压 传统结构 电场分布 仿真结果 低掺杂 过渡层 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种复合终端结构的氮化镓二极管，包括i型GaN本征层和p型GaN接触层，其特征在于：复合终端结构的氮化镓二极管为准垂直p‑i‑n结构；p型GaN接触层与i型GaN本征层之间加了一层低掺杂的p型GaN过渡层。
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