[发明专利]一种多自由度半导体晶圆刻蚀装置

摘要

本发明属于半导体生产设备技术领域，具体的说是一种多自由度半导体晶圆刻蚀装置，包括反应桶、激励线圈一、离子加速器、固定套、反应台、震荡单元和电机，激励线圈一套设在反应桶外部，激励线圈一用于将反应桶内刻蚀气体激发成等离子体；固定套固定在气体导入管下端；离子加速器用于给等离子体加速而轰击半导体晶圆；反应台位于离子加速器正下方；电机带动震荡单元转动，震荡单元驱动反应台产生多自由度震荡转动，实现半导体晶圆上的刻蚀废料氯化铝自动脱离；本发明通过使刻蚀废料被及时有效被排除，提高半导体晶圆的刻蚀效率和刻蚀效果，有利于半导体晶圆生产的产量的提高以及半导体晶圆品质的提升。

主权项

1.一种多自由度半导体晶圆刻蚀装置，其特征在于：包括反应桶(1)、激励线圈一(2)、离子加速器(3)、固定套(4)、反应台(5)、震荡单元(6)和电机(8)，所述反应桶(1)上设置有气体导入管(11)和气体输出管(12)；所述气体导入管(11)位于反应桶(1)顶端，气体导入管(11)用于向反应桶(1)内导入刻蚀气体；所述气体输出管(12)位于反应桶(1)下端，气体输出管(12)用于将反应桶(1)内的气体向外输送；所述激励线圈一(2)套设在反应桶(1)外部，激励线圈一(2)用于将反应桶(1)内刻蚀气体激发成等离子体；所述固定套(4)固定在气体导入管(11)下端，固定套(4)用于固定离子加速器(3)；所述离子加速器(3)位于气体导入管(11)正下方，离子加速器(3)用于给等离子体加速；所述反应台(5)位于离子加速器(3)正下方，反应台(5)用于放置和固定半导体晶圆(9)；所述震荡单元(6)的上端与反应台(5)连接，震荡单元(6)的下端与电机(8)连接，电机(8)带动震荡单元(6)转动，震荡单元(6)驱动反应台(5)产生多自由度震荡转动，实现半导体晶圆(9)上的刻蚀废料自动脱离；/n所述震荡单元(6)为设置的震荡轴一；所述震荡轴一包括轴套(61)、上轴(62)、弹性平衡组件(63)、浮板(64)、叶轮一(65)、下轴(66)、转动体(67)和滚体(68)，所述轴套(61)内充有液体；所述上轴(62)安装于轴套(61)上部，上轴(62)的上端与反应台(5)固定连接，上轴(62)的下端设置有球头；所述弹性平衡组件(63)位于上轴(62)的上部，弹性平衡组件(63)用于使上轴(62)处于弹性平衡状态；所述浮板(64)位于液体的液面处，浮板(64)与上轴(62)固定连接，浮板(64)用于使上轴(62)浮起；所述叶轮一(65)位于液体中，叶轮一(65)与上轴(62)固定连接，叶轮一(65)用于带动上轴(62)转动；所述下轴(66)位于轴套(61)的下部，下轴(66)与电机(8)固定连接；所述转动体(67)位于上轴(62)下端，转动体(67)与下轴(66)的上端固定连接，转动体(67)的中央设置有圆滑的凹槽(671)，转动体(67)的边缘均布有多片转动叶片(672)，转动体(67)用于带动液体转动并使转动的液体液面升高；所述凹槽(671)用于支撑上轴(62)下端的球头滑动；所述滚体(68)位于轴套(61)的底部与转动体(67)之间，滚体(68)用于减少转动体(67)与轴套(61)之间的摩擦力。/n