[发明专利]一种霍尔离子源的导磁导流结构在审

专利信息
申请号: 201810460061.4 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108735562A 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 李雪高 申请(专利权)人: 东莞市长益光电有限公司
主分类号: H01J27/02 分类号: H01J27/02
代理公司: 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 代理人: 刘花
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种霍尔离子源的导磁导流结构,包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗,进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室,过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室;进气绝缘碗设置有与下腔室连通的进气孔,过气导磁盘设置有连通下腔室和上腔室的过气孔,出气导磁碗设置有与上腔室连通的出气孔;气体从进气孔进入下腔室,经过气孔进入上腔室,最后从出气孔出去。本发明中,过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室,使磁感线束缚一部分在上腔室内部,提高上腔室内的磁感线密度,进而增大上腔室内的磁场强度;结构简单,生产成本低。
搜索关键词: 导磁盘 上腔室 出气 导磁碗 下腔室 绝缘碗 进气 上腔 连通 霍尔离子源 导流结构 出气孔 进气孔 导磁 室内 生产成本低 依次设置 磁感线 过气孔 室内部 磁场 束缚
【主权项】:
1.一种霍尔离子源的导磁导流结构,其特征在于:包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗,所述进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室,所述过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室;所述进气绝缘碗设置有与所述下腔室连通的进气孔,所述过气导磁盘设置有连通所述下腔室和上腔室的过气孔,所述出气导磁碗设置有与所述上腔室连通的出气孔;气体从进气孔进入下腔室,经过气孔进入上腔室,最后从出气孔出去。
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