[发明专利]适用于高频和高功率应用的氮化镓装置在审
| 申请号： | 201810456541.3 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108878507A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | P·斯里瓦斯塔瓦;J·G·费奥雷恩扎 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及适用于高频和高功率应用的氮化镓装置。一种半导体器件包括第一半导体材料层，其中第一半导体材料外延生长以具有第一衬底的晶体结构。该半导体器件还包括与第一半导体材料层相邻设置的第二半导体材料层，以与第一半导体材料层形成异质结。半导体器件还包括电耦合到异质结的第一组件和结合到第一半导体材料层的第二衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料层 半导体器件 氮化镓 高功率 异质结 衬底 半导体材料外延 第一组件 晶体结构 相邻设置 电耦合 应用 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体材料层，所述第一半导体材料外延生长以具有第一衬底的晶体结构；邻近所述第一半导体材料层设置的第二半导体材料层以与所述第一半导体材料层形成异质结；电耦合到异质结的第一组件；和结合到第一半导体材料层的第二衬底。
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