[发明专利]含半绝缘区的IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201810447426.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108417623B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周郁明;王兵 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 侯晔 |
| 地址： | 243002 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了含半绝缘区的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。含半绝缘区的IGBT，半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的发射区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。针对现有技术中IGBT短路时失效快的问题，本发明提出含半绝缘区的IGBT及其制备方法。它可以大幅提高IGBT的短路生存时间，大幅提高其鲁棒性，大幅提高IGBT变换器装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.含半绝缘区的IGBT，其特征在于，半绝缘区(222)位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区(22)和第二导电类型半导体掺杂的发射区(21)的下方，半绝缘区(222)的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层(12)接触。
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