[发明专利]一种浅槽隔离结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810444520.X | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108649014A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 薛广杰;陈娟;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浅槽隔离结构，包括：衬底；保护层，覆盖衬底的上表面；碗形凹槽，贯穿保护层并延伸至衬底内；其中，碗形凹槽的两侧与底面形成的夹角均为圆角；以及该浅槽隔离结构的制备方法，其中，进行刻蚀工艺的过程中，将刻蚀温度从一第一预设值逐渐降低至一第二预设值；刻蚀工艺采用各向同性的刻蚀液，且刻蚀液中氯离子的流量为70sccm～90sccm；能够形成底部具有圆角的凹槽结构，能够避免浅槽隔离结构周围发生漏电的情况，以及避免应力集中的情况，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 浅槽隔离结构 衬底 刻蚀工艺 碗形凹槽 保护层 刻蚀液 预设 圆角 制备 半导体技术领域 凹槽结构 产品良率 应力集中 逐渐降低 漏电 氯离子 上表面 底面 刻蚀 贯穿 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种浅槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底；保护层，覆盖所述衬底的上表面；碗形凹槽，贯穿所述保护层并延伸至所述衬底内；其中，所述碗形凹槽的两侧与底面形成的夹角均为圆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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