[发明专利]一种自带信号放大功能氮化镓基射线探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自带信号放大功能氮化镓基射线探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明所述一种射线探测器，包括：GaN基PN结和高电子迁移率晶体管；所述的GaN基PN结包括依次层叠的背电极、P‑GaN层和n‑‑GaN漂移层，所述n‑‑GaN漂移层用于吸收射线辐照产生电子空穴对；所述的高电子迁移率晶体管的沟道层与n‑‑GaN漂移层远离P‑GaN层的表面电性连接。所述高电子迁移率晶体管包括依次层叠的沟道层、AlN阻挡层和AlGaN势垒层；所述沟道层为GaN沟道层，远离AlN阻挡层的表面与n‑‑GaN漂移层电性连接；AlGaN势垒层远离AlN阻挡层的表面分别设有源极、漏极和栅极。本发明所述的探测器实现了自带信号放大功能的射线探测器，灵敏度高、响应速度快、信噪比高，制备工艺简单可靠。

主权项

1.一种自带信号放大功能氮化镓基射线探测器，其特征在于，包括：GaN基PN结和高电子迁移率晶体管；所述的GaN基PN结包括依次层叠的背电极(101)、P‑GaN层(102)和n‑‑GaN漂移层(103)，所述n‑‑GaN漂移层(103)用于吸收射线(112)辐照产生电子空穴对；所述的高电子迁移率晶体管的沟道层与n‑‑GaN漂移层(103)远离P‑GaN层(102)的表面电性连接。