[发明专利]一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构有效
| 申请号： | 201810432973.0 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108429124B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张伟利;胡波;马瑞;饶云江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11;H01S3/094 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构，涉及激光器领域，包括用于对入射光信号进行时域调控的半导体激光器，用于对半导体激光器反馈光进行校准的准直透镜，用于对反馈光进行吸收调控的可饱和吸收体以及与待调控光纤激光器连接的光引线。本发明中，有源外腔结构通过光引线与传统谐振腔型光纤激光器或无谐振腔的光钎随机激光器连接，实现动态调控，优化调Q或者锁模条件，便于复杂条件下的脉冲输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 可饱和吸收体 外腔结构 光纤激光器 调控 激光器领域 入射光信号 随机激光器 动态调控 复杂条件 脉冲输出 谐振腔型 准直透镜 反馈 谐振腔 校准 光钎 时域 锁模 吸收 优化 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构,其特征在于：包括从左到右依次设置的用于对入射光信号进行时域调控的半导体激光器(2)，用于对半导体激光器(2)反馈光进行校准的准直透镜(3)，用于对反馈光进行吸收调控的可饱和吸收体(4)以及与待调控光纤激光器连接的光引线(6)；所述可饱和吸收体(4)为一个曲率可调的MEMS膜片，所述MEMS膜片靠近准直透镜(3)端表面设置有二维材料。
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