[发明专利]一种固态多光谱传感器在审
申请号: | 201810432055.8 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108831898A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 曹笈;法瓦兹·哈伯尔 | 申请(专利权)人: | 苏州解光语半导体科技有限公司;江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 王凯 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种固态多光谱传感器,涉及光学传感器领域,包括:硅芯片、光敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑电路、数模转换器和数据总线输出接口等模块;所述光敏单元阵列选用固态纳米线阵列;固态纳米线阵列通过深反应离子刻蚀技术直接集成于所述硅芯片上;固态纳米线阵列由纳米线排列而成;纳米线定向垂直于硅芯片表面;入射光照射固态纳米线阵列并引发光电效应,特定几何参数特性的固态纳米线阵列过滤并增强提取入射光信息中特定波长的光信息。利用MEMS技术在硅晶片上精密刻制定制设计的纳米线阵列,建构出以硅晶片为基础、与主流半导体生产工艺相兼容的滤光结构,配合高性能商用CMOS图像传感器基础光检测及信号处理芯片。 | ||
搜索关键词: | 固态纳米 线阵列 多光谱传感器 光敏单元阵列 硅芯片 硅晶片 纳米线 入射光 时序控制逻辑电路 半导体生产工艺 深反应离子刻蚀 信号处理芯片 光学传感器 硅芯片表面 纳米线阵列 数模转换器 定向垂直 定制设计 光电效应 几何参数 列驱动器 滤光结构 输出接口 数据总线 行驱动器 光检测 光信息 波长 刻制 建构 商用 过滤 精密 兼容 照射 主流 配合 | ||
【主权项】:
1.一种固态多光谱传感器,其特征在于:包括硅芯片、光敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑电路、数模转换器和数据总线输出接口;所述光敏单元阵列选用固态纳米线阵列;固态纳米线阵列通过深反应离子刻蚀技术直接集成于所述硅芯片上;固态纳米线阵列由纳米线排列而成;纳米线定向垂直于硅芯片表面;入射光照射固态纳米线阵列并引发光电效应,固态纳米线阵列过滤并增强提取入射光信息中的光信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的