[发明专利]一种Bi2有效

专利信息
申请号: 201810430258.3 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN108546970B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 王文成;王秀通;黄彦良;杨黎晖;宁晓波;路东柱;李红玲 申请(专利权)人: 中国科学院海洋研究所
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C18/12;C23C28/04;C23F13/12;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于纳米材料技术领域,尤其是涉及一种Bi2Se3/TiO2纳米复合膜及其制备和在光生阴极保护中的应用。先通过阳极氧化法在预处理后的钛基底试样表面制备TiO2纳米管阵列膜,再通过化学浴沉积法于TiO2表面制备Bi2Se3纳米花,所述获得TiO2纳米管阵列与其表面均匀分布的Bi2Se3纳米花构成了具有NN型异质结构的Bi2Se3/TiO2纳米复合膜。本发明复合膜紫外可见漫反射吸收光谱说明Bi2Se3/TiO2纳米复合膜具有更优于TiO2的可见光吸收效果。将本发明的Bi2Se3/TiO2纳米复合膜与304不锈钢偶联后,开路电位‑时间曲线显示304不锈钢的开路电位达‑996mV,说明304不锈钢已经进入很好的阴极保护状态。
搜索关键词: 一种 bi base sub
【主权项】:
1.一种Bi2Se3/TiO2纳米复合膜的制备方法,其特征在于:先通过阳极氧化法在预处理后的钛基底试样表面制备TiO2纳米管阵列膜,再通过化学浴沉积法于TiO2表面制备Bi2Se3纳米花,所述获得TiO2纳米管阵列与其表面均匀分布的Bi2Se3纳米花构成了具有NN型异质结构的Bi2Se3/TiO2纳米复合膜。
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