[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201810430170.1 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108878340A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,在对晶片的背面侧进行磨削时,能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响,磨削后的处理也简单。该加工方法包含:液体提供步骤,对在正面上具有器件区域的晶片的正面提供液体,在该器件区域中形成有具有凹凸的器件;保护膜紧贴步骤,隔着液体将保护膜向晶片的正面侧按压,使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧;带保护部件的晶片形成步骤,利用由因外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜进行包覆,形成由保护部件对晶片的正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片;磨削步骤,在对带保护部件的晶片的保护部件侧进行了保持的状态下磨削晶片的背面而使晶片变薄;和剥离步骤,将保护部件和保护膜从已变薄的晶片剥离。 | ||
搜索关键词: | 晶片 保护部件 保护膜 磨削 器件区域 凹凸的 变薄 紧贴 背面 加工 按压 晶片剥离 外部刺激 液态树脂 液体提供 硬化型 包覆 硬化 剥离 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:液体提供步骤,对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面提供液体,其中,在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件;保护膜紧贴步骤,隔着该液体将保护膜向该晶片的该正面侧按压而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧;带保护部件的晶片形成步骤,利用保护部件对该保护膜进行包覆,形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片,其中,该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成;磨削步骤,在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下,对该晶片的背面进行磨削,使该晶片变薄;以及剥离步骤,将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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