[发明专利]一种超薄2D WO3

摘要

本发明提供了一种超薄2D WO3/g‑C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法，包括如下步骤：S1，制备超薄2D WO3纳米片；S2，制备超薄2D g‑C3N4纳米片；和S3，通过2D WO3纳米片和2D g‑C3N4纳米片制备超薄2D WO3/g‑C3N4Z型异质结光催化剂。本发明还提供了一种超薄2D WO3/g‑C3N4Z型异质结光催化剂，包括2D WO3和2D g‑C3N4，其中2D WO3和2D g‑C3N4的质量比为1‑3：10。本发明提供的2D WO3/g‑C3N4异质结光催化剂的Z型能带结构提高了光催化的效率，同时面对面接触的2D/2D异质结可以表现出大的界面接触面积和更小的界面电阻，提高了电荷转移效率，由此进一步提高光催化的性能和稳定性。

主权项

1.一种超薄2D WO3/g‑C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，制备超薄2D WO3纳米片；S2，制备超薄2D g‑C3N4纳米片；和S3，通过2D WO3纳米片和2D g‑C3N4纳米片制备超薄2D WO3/g‑C3N4Z型异质结光催化剂。