[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器在审

专利信息
申请号: 201810417104.0 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN110445474A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 唐滨;赖志国;杨清华;赖亚明 申请(专利权)人: 贵州中科汉天下微电子有限公司
主分类号: H03H3/007 分类号: H03H3/007;H03H3/02;H03H3/04;H03H9/15;H03H9/205;H03H9/02
代理公司: 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 代理人: 李非非;杨兴宇
地址: 556000 贵州省黔东南*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法,包括:提供晶圆衬底;在晶圆衬底上形成布拉格反射层;在布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元,其中,所述下电极层、所述压电层、所述上电极层中的两层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布,第一变化趋势与第二变化趋势相反。实施本发明可以有效地减小薄膜体声波谐振器单元在整片晶圆衬底上的频率分布范围。相应地,本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器。
搜索关键词: 薄膜体声波谐振器 衬底 晶圆 变化趋势 薄膜 薄膜体声波滤波器 布拉格反射层 下电极层 电极层 压电层 频率分布 有效地 减小 两层 三层 整片 制造
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法,该制造方法包括:提供晶圆衬底;在所述晶圆衬底上形成布拉格反射层;在所述布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在所述晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元,其中,所述下电极层、所述压电层、所述上电极层中的两层薄膜在所述晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在所述晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布,其中,所述第一变化趋势与所述第二变化趋势相反。
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