[发明专利]3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器(APD)及其制作方法，该红外波段APD包括自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极接触层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延Si层、和N+型Si层，其中，N型InSb层和P型外延Si层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。由此，InSb对红外波段光的吸收大，外延Si材料的电子离化率与空穴离化率的差别较大，其过剩噪声因子小，故能获得噪声小的倍增性能，相比倍增层为InSb的情形，不仅能够使InSb/Si APD器件的噪声降低，APD探测器的响应度提升，而且经由较窄吸收层的N型InSb层和窄倍增层的P型外延Si层的组合能够实现高速、低噪声光电探测的效果；同时，使用InSb/Si键合晶片降低了与Si读出电路之间的热失配。

主权项

1.一种3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器，包括自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极接触层、吸收层、倍增层和N+型Si衬底，其中，所述吸收层和所述倍增层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。