[发明专利]一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件有效
| 申请号： | 201810405244.6 | 申请日： | 2018-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598161B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 董志华;张辉;张佩佩;程知群;刘国华;李仕琦;蒋俊杰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L27/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 雷仕荣 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 固态 电池 实现 增强 iii hemt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底(1)上依次形成第二半导体层(2)和第一半导体层(3)并在所述第二半导体层(2)和第一半导体层(3)之间形成异质结构；源电极(5)和漏电极(6)通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极(12)用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；其特征在于，还包括设置在所述源电极(5)和栅电极(12)之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。
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