[发明专利]一种纳米柱紫外LED及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810402567.X | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493309A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李媛;王文樑;阳志超 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种纳米柱紫外LED及其制备方法与应用。所述制备方法是在紫外LED外延片的表面设置一层纳米二氧化硅颗粒，然后以纳米二氧化硅颗粒为掩膜，在紫外LED外延片上刻蚀出纳米柱结构，从而获得纳米柱紫外LED。所述纳米柱紫外LED由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱纳米柱以及p‑GaN纳米柱。本发明的纳米柱紫外LED，释放LED量子阱的应力，减弱量子限制斯塔克效应，增强LED器件性能。另外，本发明的制备方法简单易行，避免了制作掩模版的复杂步骤和成本，并能够通过采用不同颗粒尺寸的SiO2来调节纳米柱的尺寸大小。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 紫外LED 制备 纳米二氧化硅颗粒 量子阱 外延片 纳米柱结构 表面设置 复杂步骤 量子限制 掩模版 衬底 刻蚀 掩膜 半导体 应用 释放 制作 | ||
【主权项】：
1.一种纳米柱紫外LED，其特征在于：由下至上依次包括衬底、预铺Al层、AlN层、AlGaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱纳米柱以及p‑GaN纳米柱；所述量子阱纳米柱为InGaN/GaN‑1/AlGaN/GaN‑2量子阱纳米柱，GaN‑1和GaN‑2为垒层，InGaN为阱层，GaN‑1和GaN‑2都是GaN层。
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