[发明专利]一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法有效
| 申请号： | 201810400771.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108665926B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 冯丹;童薇;刘景宁;张扬;汪承宁;吴兵;徐洁;徐高翔 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法，属于计算机存储领域。本发明基于两端写驱动的高效ReRAM设计，通过对SET干扰和RESET干扰建模，分析出只有RESET干扰会造成数据翻转错误，以此来减小解决写干扰的开销；通过在ReRAM阵列内部设置待选定干扰参考单元，并实时探测选定干扰参考单元的阻值状态，条件性地触发刷新操作，从而确保所有的半选择单元都不会发生数据翻转错误，提升阵列可靠性；通过构建概率模型来显示制程变化对累积干扰的影响，并且根据概率模型得出的结果，合理地修改刷新触发条件，提前触发刷新，保证即使在制程变化的影响下，所有单元也不会因为写干扰而发生数据翻转错误，从而进一步提升ReRAM阵列的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 开关 结构 存储器 干扰 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法，其特征在于，所述方法具体包括：(1)将ReRAM中部分单元设置为待选定干扰参考单元；(2)实时监测选定干扰参考单元的状态；(3)对比选定干扰参考单元的状态变化和干扰阈值，若选定干扰参考单元的状态变化不超过干扰阈值，则对选定干扰参考单元所在行或列上的低阻态半选择单元进行SET操作；所述干扰阈值获取方法为：构建概率模型来分析RESET操作在制程变化下对选定干扰参考单元的累积干扰；利用概率模型求出单元发生数据翻转错误时的干扰阈值。
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