[发明专利]一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘有效
| 申请号： | 201810400714.X | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108650722B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 荒见淳一;周仁;候彬 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/02 | 分类号： | H05B3/02;H05B3/04;H05B3/26;F16J15/06 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，该加热盘包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构及密封结构。该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两方面入手，通过合理的加热盘结构设计及材料选择，提高了射频导通面积，改善了热量传递，同时合理布置并增加了冷却液流动空间，减少从加热盘表面传导到连接块的热量，降低了密封圈的受热温度，提高了其密封效果，起到了优良的真空与大气隔绝能力。两种功能的改善最终提高了薄膜沉积质量。因此本方案是一种更加高效的半导体成膜用加热盘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 射频 能力 密封 效果 加热 | ||
【主权项】：
1.一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，其特征在于：包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构与密封结构。
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