[发明专利]具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810400045.6 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108615797B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;韩涛;张荣;陶涛;谢自力;周玉刚;修向前;陈鹏;陈敦军;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。 | ||
| 搜索关键词： | 圆台 表面等离激元 紫外LED器件 电子阻挡层 纳米结构 纳米阵列 出射 制备 垂直 简化制备过程 金属纳米阵列 常规结构 发光效率 工艺结合 金属薄膜 三角阵列 圆台斜面 圆柱阵列 紫外LED 传统的 底面 刻蚀 源层 填充 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，所述的圆台纳米阵列的圆台具有上窄下宽的结构，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。
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