[发明专利]一种基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810399948.7 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108807586B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 叶建东;陈选虎;徐阳;马同川;张彦芳;任芳芳;朱顺明;顾书林;张荣;郑有炓 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器,包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片,在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列,然后覆盖绝缘介质钝化层,所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极;氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置,氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同,面积稍大于衬底,氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构,可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波,增强对短波的抑制作用,实现窄带的日盲紫外探测器;探测器结构简单,成本较低,抑制较高,有利于推广使用。 | ||
搜索关键词: | 氧化镓 衬底 单晶 叉指状电极 紫外探测器 晶体取向 绝缘介质 钝化层 滤光片 日盲 偏振选择 带通 金属 探测器结构 沉积金属 封装结构 信号输出 阵列化 探测器 短波 漏出 滤除 滤光 杂波 窄带 制备 垂直 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器,其特征是,包括β相的氧化镓衬底、金属叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片,在(100) 、(001)或(010) β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列,然后覆盖绝缘介质钝化层,所述绝缘介质钝化层漏出金属叉指状电极;氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5 mm处放置,氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同,面积大于衬底,氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底;钝化层为PECVD生长的SiO2或ALD生长的氧化铝薄膜,SiO2的厚度范围为200‑300 nm,氧化铝薄膜的厚度为20‑40 nm;所述的β相的氧化镓衬底厚度为100‑500μm,金属叉指状电极是Au电极,位于β相的氧化镓衬底上;叉指状电极的方向沿着(010)或(001)方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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