[发明专利]优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810398738.6 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108538911B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李聪;闫志蕊;庄奕琪;赵小龙;郭嘉敏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 型隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化的L型隧穿场效应晶体管，包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧，其特征在于：所述源区(3)，采用锗半导体材料；所述栅区(5)，采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；所述漏区(6)与栅区(5)的右边界设有间隔S。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810398738.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有复合栅的IGBT芯片
- 下一篇：沟槽台阶栅IGBT芯片
- 同类专利
- 专利分类
