[发明专利]氮化物LED外延层结构及制造方法在审
| 申请号： | 201810391297.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108615798A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吴琼 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;丘鸿超 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种氮化物LED外延层结构及制造方法，其特征在于，包括：在表面形成有凸状图形的蓝宝石衬底、在所述蓝宝石衬底上形成的下部uGaN层、在所述下部uGaN层上形成的凸丘状或凹凸状氮化镓晶体构成的应力释放层、在所述应力释放层上形成的氮化硅插入层、在所述氮化硅插入层上形成的上部uGaN层、以及在所述上部uGaN层上形成的氮化镓基外延层。其不仅解决了在蓝宝石衬底上生长氮化镓半导体层时产生位错缺陷问题，同时还解决了脱位缺陷和裂纹的产生的问题，可以最大限度地减少由贯穿电势引发缺陷的形象，从而形成高质量外延层，同时，通过增加uGaN层厚度，可以防止裂纹的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 外延层结构 应力释放层 氮化物LED 插入层 氮化硅 氮化镓半导体层 氮化镓基外延层 氮化镓晶体 表面形成 凸状图形 位错缺陷 凹凸状 凸丘状 外延层 电势 制造 生长 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物LED外延层结构，其特征在于，包括：在表面形成有凸状图形的蓝宝石衬底、在所述蓝宝石衬底上形成的下部uGaN层、在所述下部uGaN层上形成的凸丘状或凹凸状氮化镓晶体构成的应力释放层、在所述应力释放层上形成的氮化硅插入层、在所述氮化硅插入层上形成的上部uGaN层、以及在所述上部uGaN层上形成的氮化镓基外延层。
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