[发明专利]一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法

摘要

本发明公开了一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上形成待测器件及其对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试；S03：应用电磁场仿真模型仿真一个平板电容，该平板电容用于模拟上述开路去嵌结构中产生的寄生电容；并得出该电容的附加电容值；S04：将上述测试所得开路去嵌结构的的S参数转换为Y参数，去除开路去嵌结构中的附加电容，并进一步去嵌计算，得出待测器件本身的S参数。本发明公开的一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，可以去除PAD结构和附带连线之间引起的在片测试结构的寄生效应，在射频微波毫米波应用中有较好的前景。

主权项

1.一种毫米波器件在片测试结构的去嵌方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：在硅衬底上形成待测器件，并在同一衬底上同时形成待测器件相对应的开路去嵌结构和短路去嵌结构；所述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构均含有附带连线和在片测试PAD；S02：对上述待测器件、开路去嵌结构和短路去嵌结构进行S参数测试，得到待测器件的S参数Smea、开路去嵌结构的S参数Sopen和短路去嵌结构的S参数Sshort；S03：应用电磁场仿真模型仿真一个平板电容，该平板电容用于模拟上述开路去嵌结构中所述附带连线之间产生的电容；利用与所述待测器件相同材质和制备工艺的无源器件对上述电磁场仿真模型所处的环境进行训练，得出与所处环境相关的仿真参数，利用校准后的含有仿真参数的电磁场仿真模型仿真该平板电容，得出该平板电容的Y参数YCj及其附加电容值Cj；S04：将步骤S02中测试所得的S参数转换为Y参数，分别得到待测器件的Y参数Ymea、开路去嵌结构的Y参数Yopen和短路去嵌结构的Y参数Yshort，计算出待测器件本身的S参数，具体计算过程为：S041：计算开路去嵌结构去除寄生电容之后的Y参数：Y’open＝Yopen‑YCj；S042：基于上述Y参数，计算Y’mea‑open＝Ymea‑Y’open；S043：基于上述Y参数，计算Y’short‑open＝Yshort‑Y’open；S044：将上述得到的Y’mea‑open和Y’short‑open转换为对应的Z参数，得到Z’mea‑open和Z’short‑open，；S045：通过将Z’mea‑open和Z’short‑open相减得到待测器件本身的精确Z参数：Z’device＝Z’mea‑open‑Z’short‑open，将待测器件本身的精确Z参数转换回S参数，得到待测器件本身的精确S参数。