[发明专利]一种电子束曝光机解析能力的优化方法在审
| 申请号： | 201810387724.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109085739A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 沙云峰;刘维维;刘浩 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 郭伟红 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束曝光机解析能力的优化方法，其包括：(1)电子抗蚀剂的特性优化：选用FEP正性光刻胶，该光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和对比度；(2)邻近效应优化：采取软件修正措施，通过波前工程实施几何图形尺寸调整，或实施曝光剂量调制，或将二者相结合来修正邻近效应；(3)显影机显影程式的优化：在曝光后进行烘烤。本发明的方法找到当前曝光设备最大解析能力的一个临界点，同时通过优化曝光工艺在不改变曝光设备的前提下，寻找提升掩模曝光解析能力的可能性，从而使之满足高端掩模版曝光工艺需要。 | ||
| 搜索关键词： | 解析 优化 电子束曝光机 邻近效应 曝光工艺 曝光设备 临界点 电子抗蚀剂 正性光刻胶 尺寸调整 高分辨率 高灵敏度 工程实施 几何图形 曝光剂量 软件修正 特性优化 掩模曝光 光刻胶 显影机 掩模版 烘烤 高端 显影 调制 修正 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种电子束曝光机解析能力的优化方法，其特征在于，包括：(1)电子抗蚀剂的特性优化：选用FEP正性光刻胶，该光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和对比度；(2)邻近效应优化：采取软件修正措施，通过波前工程实施几何图形尺寸调整，或实施曝光剂量调制，或将二者相结合来修正邻近效应；(3)显影机显影程式的优化：在曝光后进行烘烤。
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