[发明专利]清洁半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201810386573.0 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807143B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 凯文·J·莱恩;夏瑞克·斯蒂奎;法兰克·W·蒙特;寇尔奈利斯·B·匹撒拉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C25F3/14 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭示内容的数个方面提供一种清洁半导体装置的方法。该方法包括：提供具有一暴露的钴表面的一半导体晶圆，以及用pH大于9且氧化还原电位小于0.0的阴极水清洗该暴露的钴表面。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洁半导体装置的方法，其包含：提供具有一暴露的钴表面的一半导体晶圆；以及用pH大于9且氧化还原电位小于0.0的阴极水清洗该暴露的钴表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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