[发明专利]一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法有效
| 申请号： | 201810385619.7 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108648992B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐春祥;赵杰;游道通;石增良;朱烨 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，在金属基底上用化学气相法制备石墨烯薄膜；然后以石墨烯薄膜为沟道制备场效应管；最后石墨烯基场效应管的沟道上固定放置氧化锌微米棒。氧化锌微米棒作为混合异质结的一维材料直接固定于石墨烯场效应管的沟道中，作为提供寿命长的空穴以及光电接收材料，不会伤害氧化锌和石墨烯的表面；从而利用氧化锌对紫外光比较敏感的优异特性将二维石墨烯的超高载流子迁移率与一维氧化锌微米棒的超长载流子寿命的优势结合，制得性能优良的氧化锌石墨烯场效应管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 石墨 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在金属基底上用化学气相法制备石墨烯薄膜；(2)以石墨烯薄膜为沟道制备场效应管；(3)在步骤(2)所述石墨烯基场效应管的沟道上固定放置氧化锌微米棒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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