[发明专利]接触孔的制造方法有效
| 申请号： | 201810381404.8 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108538712B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种接触孔的制造方法，从工艺整合的角度考量，根据所述硬掩膜层的厚度和/或所述第一抗反射层的厚度确定抗反射层刻蚀的刻蚀工艺条件，所述刻蚀工艺条件包括对所述硬掩膜层的过刻蚀量，进而根据所述刻蚀工艺条件对所述第二抗反射层、第一抗反射层进行抗反射层刻蚀，从而降低形成的开口的深宽比，保证刻蚀打开硬掩膜层时的图案的精确性，从而达到改善最终形成的接触孔的缺陷的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面上形成有层间介质层的半导体衬底；在所述层间介质层的表面上依次形成硬掩膜层、第一抗反射层、第二抗反射层以及图案化的光刻胶层；根据所述硬掩膜层的厚度和/或所述第一抗反射层的厚度确定抗反射层刻蚀的刻蚀工艺条件，所述刻蚀工艺条件包括对所述硬掩膜层的过刻蚀量；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，采用所述刻蚀工艺条件对所述第二抗反射层、第一抗反射层进行抗反射层刻蚀，刻蚀停止在所述硬掩膜层中，以使所述硬掩膜层的过刻蚀量达到所述刻蚀工艺条件中的设定；以所述图案化的光刻胶层、第二抗反射层、第一抗反射层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露出所述层间介质层的表面；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，以形成贯穿所述层间介质层的接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810381404.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
