[发明专利]一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件在审
| 申请号： | 201810380279.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108831882A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 周伟刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市虹源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种功率型的金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件，包括第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块，所述第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚，所述第一电阻的一端作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接外部的驱动信号源、第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端，所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极。将外部电路的体积缩减，在组装成电源供应器时，符合轻薄短小的趋势；以及，可以缩减外部驱动电路的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 氧化物半导体 金属 导通 电阻 接脚 源极 功率型 汲极 闸极 金属-氧化物半导体场效应晶体管 外部驱动电路 电源供应器 驱动信号源 体积缩减 外部电路 一端连接 轻薄 组装 外部 | ||
【主权项】：
1.一种功率型的金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：包括第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块，所述第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚，所述第一电阻的一端作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接外部的驱动信号源、第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端，所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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