[发明专利]多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统有效
| 申请号： | 201810380235.6 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109583592B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 俞大鹏;吴健生;肖江;陈远珍;陈伟强;翁文康 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;复旦大学 |
| 主分类号： | G06N10/00 | 分类号： | G06N10/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下，包括：将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方；通过磁性薄膜材料中磁畴磁化方向的组合，以形成多个供自旋波通过的通道；多超导量子比特阵列中的量子比特对应设置于自旋波通过的通道上方，以实现单个量子比特与自旋波的耦合；自旋波通道上设有至少两个量子比特，通过单个量子比特与自旋波之间的耦合以实现两个量子比特之间的耦合。上述方法利用磁性薄膜材料层来传递超导量子比特层的量子比特的状态变化，同时利用自旋波的软连接，以实现任意两个超导量子比特的耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 量子 比特 任意 两个 耦合 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
1.一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法，应用于具有多超导量子比特阵列(200)以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料(100)的场合下，其特征在于，包括：将所述磁性薄膜材料(100)设置于所述多超导量子比特阵列(200)下方；通过所述磁性薄膜材料(100)中磁畴磁化方向的组合，以形成多个供所述自旋波通过的通道；所述多超导量子比特阵列(200)中的量子比特对应设置于所述自旋波通过的通道上方，以实现单个所述量子比特与所述自旋波的耦合；所述自旋波通道上设有至少两个所述量子比特，通过单个所述量子比特与所述自旋波之间的耦合以实现两个所述量子比特之间的耦合。
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