[发明专利]三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810378606.7 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108598081B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张富山;肖亮;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及三维存储器件及其制造方法。公开了一种用于制造三维存储器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上定义核心区域和外围区域；在所述衬底的外围区域形成外围电路；在所述衬底的核心区域和外围区域共形地形成第一材料层，覆盖所述外围电路和所述衬底表面；在所述第一材料层上共形地形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第一材料层；在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料层，且所述第三材料层的上表面为平坦表面；在所述第三材料层上形成堆叠结构，所述堆叠结构至少覆盖所述衬底的核心区域；在所述衬底的核心区域上形成所述三维存储器件的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 三维存储器件 第二材料层 核心区域 材料层 第一材料 外围区域 堆叠结构 外围电路 覆盖 共形 制造 衬底表面 存储单元 平坦表面 上表面 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造三维存储器件的方法，包括：/n提供衬底，在所述衬底上定义核心区域和外围区域；/n在所述衬底的外围区域形成外围电路；/n在所述衬底的核心区域和外围区域共形地形成第一材料层，覆盖所述外围电路和所述衬底表面，所述第一材料层接触所述衬底表面；/n在所述第一材料层上共形地形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第一材料层，其中所述第二材料层对应于所述衬底的外围区域的部分用作绝缘层或蚀刻停止层，所述第二材料层对应于所述衬底的核心区域的部分用于形成所述三维存储器件的底部选择栅；/n在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料层，且所述第三材料层的上表面为平坦表面；/n在所述第三材料层上形成堆叠结构，所述堆叠结构至少覆盖所述衬底的核心区域；/n在所述衬底的核心区域上形成所述三维存储器件的存储单元。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
