[发明专利]基于咔唑和芴的杂环化合物及其应用和有机电致发光器件

摘要

本公开涉及一种基于咔唑和芴的杂环化合物，该杂环化合物具有如下式(1)所示的结构：本公开的杂环化合物中咔唑与芴以σ键连接时不会导致共轭程度的大幅度提升，仍具有较高的三线态能级，能够作为红、绿、蓝三种发光材料的主体材料使用，其能隙也较窄，有利于载流子的注入，能够有效地降低器件的开启电压；分子结构中含有哈米特值为正数的基团，能够大幅提高分子的电子传输能力，在有机电致发光器件的发光层中使用时能够拓展其载流子的复合区域，有效地降低效率滚降；同时本公开的杂环化合物在咔唑上连接有芴基，整个分子呈现出较大的刚性扭曲结构，能够有效地降低因聚集引起的淬灭，能提高有机电致发光器件的发光效率。

主权项

1.一种基于咔唑和芴的杂环化合物，其特征在于，该杂环化合物具有如下式(1)所示的结构：其中，L¹和L²各自独立地选自单键、取代或未取代的C₆～C₃₀的亚芳基、取代或未取代的C₃～C₃₀的亚杂芳基中的至少一种；Ar¹和Ar²分别选自哈米特值为正数的基团、哈米特值为负数的取代或未取代的C₆～C₃₀的芳基、哈米特值为负数的取代或未取代的C₃～C₃₀的杂芳基和哈米特值为负数的取代或未取代的C₆～C₃₀的芳胺中的至少一种，且Ar¹和Ar²中至少一个为所述哈米特值为正数的基团；R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R^1’、R^2’、R^3’、R^4’、R^5’、R^6’、R^7’、R^8’和R^9’各自独立地选自氢原子、C₁～C₁₀烷基、取代或未取代的C₆～C₃₀芳基和取代或未取代的C₃～C₃₀杂芳基中的至少一种；所述取代的C₆～C₃₀亚芳基、取代的C₃～C₃₀亚杂芳基、取代的C₆～C₃₀芳基、取代的C₃～C₃₀杂芳基、哈米特值为负数的取代的C₆～C₃₀的芳基、哈米特值为负数的取代的C₃～C₃₀的杂芳基和哈米特值为负数的取代的C₆～C₃₀的芳胺中的取代基各自独立地选自卤素、氰基、C₁～C₁₀的烷基、C₃～C₁₀的环烷基、C₂～C₆的烯基、C₁～C₆的烷氧基、C₁～C₆的硫代烷氧基、C₆～C₃₀的芳基和C₃～C₃₀的杂芳基中的至少一种。