[发明专利]一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810373151.X | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807618A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法，GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构，包括Si衬底；所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、GaN三维层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构具有良好的电学性能；制备方法，包括：第一生长步骤：在Si衬底上依序向上生长AlN层、AlGaN层、GaN三维层和N型GaN层；第二生长步骤：生长InGaN/GaN多量子阱层；第三生长步骤：生长AlGaN电子阻挡层和P型GaN层，得到GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱结构 生长 衬底 制备 电子阻挡层 向上生长 三维 电学性能 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构，包括Si衬底；其特征在于，所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、GaN三维层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱层包括InGaN势阱层和GaN势垒层；所述GaN势垒层包括至少一层Si掺杂GaN势垒层和至少一层不掺杂GaN势垒层；所述Si掺杂GaN势垒层和不掺杂GaN势垒层间隔叠合设置。
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