[发明专利]一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810365285.7 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108539175A 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 梁培;满晓磊;胡陈力 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/182
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭州市江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料及其制备方法,二硫化钼/二硫化锡为水平界面接触式生长,二硫化钼/二硫化锡生长于石墨烯的表面;以氧化石墨烯为碳源,五水四氯化锡为锡源,二水钼酸钠为钼源,硫代乙酰胺为硫源,将碳源、锡源、钼源、硫源依次加入去离子水中,在200℃下保温16h的条件下合成二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料;制备出的二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料具有稳定结构,导电率高,比表面积大,电化学性能优异等优点;该制备方法对反应条件要求低,操作简单,产率高,可重复性好。
搜索关键词: 二硫化钼 硫化锡 石墨烯复合材料 制备 硫源 锡源 钼源 反应条件要求 五水四氯化锡 电化学性能 二水钼酸钠 硫代乙酰胺 氧化石墨烯 可重复性 水平界面 稳定结构 生长 导电率 接触式 石墨烯 产率 水中 保温 离子 合成
【主权项】:
1.一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料及其制备方法,其特征在于,所述的二硫化钼/二硫化锡为水平界面接触式生长,二硫化钼/二硫化锡生长于石墨烯的表面;所述的一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料的制备方法为:步骤一:将氧化石墨烯加入去离子水中,超声分散均匀后得到混合物A;步骤二:将五水四氯化锡加入混合物A中,持续搅拌使其完全溶解,得到混合物B;步骤三:将二水钼酸钠加入混合物B中,持续搅拌使其完全溶解,得到混合物C;步骤四:将硫代乙酰胺加入混合物C中,持续搅拌使其完全溶解,得到混合物D;步骤五:转移至不锈钢高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中,密封不锈钢高压反应釜并在200℃下保温16h,待不锈钢高压反应釜自然冷却至室温后,得到混合物E;步骤六:用无水乙醇离心洗涤混合物E四次,去离子水离心洗涤混合物E四次,得到去离子水和二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料的混合物F;步骤七:将混合物F冷冻干燥12h,得到产物G。
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