[发明专利]一种亚单层量子点级联光电探测器在审
| 申请号： | 201810358720.3 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108493275A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 巫江;杜文;余鹏;王志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/102 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种亚单层量子点级联光电探测器，其特征在于，包括衬底层，在衬底层的上表面由下至上依次外延生长出下接触层、活性区域层和上接触层，所述的活性区域层为周期性层状结构，每个周期内包括由下至上设置的量子阱级联传输区和亚单层量子点堆积层。本发明所述的亚单层量子点级联光电探测器可以获得质量更高、更可控的量子点，提高量子效率、降低暗电流，从而有效的提高光电探测器的探测能力和响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 亚单层量子点 光电探测器 级联 活性区域 衬底层 周期性层状结构 量子效率 上接触层 外延生长 暗电流 传输区 堆积层 接触层 可控的 量子点 量子阱 上表面 响应率 探测 | ||
【主权项】：
1.一种亚单层量子点级联光电探测器，其特征在于，包括衬底层(1)，在衬底层(1)的上表面由下至上依次外延生长出下接触层(2)、活性区域层(3)和上接触层(4)，所述的活性区域层(3)为周期性层状结构，每个周期内包括由下至上设置的量子阱级联传输区(31)和亚单层量子点堆积层(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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