[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(柱形)有效
| 申请号： | 201810351439.7 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108598165B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人： | 济南安海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 250102 山东省济南市中国（山东）自由贸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中，在完成沟槽底部的第一次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积后，刻蚀减薄了屏蔽栅侧壁氧化层，再进行第二次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 制造 方法 柱形 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在作为漏极的N+衬底上利用外延生长工艺产生N‑区；(2)在所述的N‑区上设置掩模版进行刻蚀形成位于该N‑区内的沟槽；(3)氧化修复所述沟槽的缺陷，并在器件表面淀积屏蔽栅氧化层；(4)在所述沟槽底部进行屏蔽栅掺杂多晶硅淀积并回刻；(5)刻蚀位于所述沟槽底部上方屏蔽栅侧壁的氧化层，减薄屏蔽栅侧壁氧化层；(6)在所述沟槽内进行屏蔽栅第二次掺杂多晶硅淀积并回刻；(7)对所述的屏蔽栅顶部进行多晶硅氧化；(8)在所述的沟槽内淀积氧化层，回刻，并去除所述的掩模版；(9)在所述的N‑区顶部进行P‑body区注入和退火，形成P‑body区；(10)进行器件栅刻蚀、栅氧化、多晶硅淀积并刻蚀，形成位于所述沟槽顶部的栅极；(11)在所述的P‑body区顶部沿所述的沟道进行N+注入；(12)利用后段工艺在器件顶部形成源极。
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