[发明专利]一种三维存储器及其数据操作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其数据操作方法，三维存储器包括复合衬底，复合衬底包括金属衬底以及形成在金属衬底上的第一半导体层，第一半导体层为第一掺杂类型；堆叠层，形成在复合衬底上，堆叠层包括沿垂直于复合衬底的方向间隔设置的若干层栅极层；穿过堆叠层的沟道孔；位于沟道孔内的沟道层；位于第一半导体层内的第二掺杂类型的掺杂区，掺杂区与金属衬底形成欧姆接触，以使存储器的公共源极至少包含第一半导体层、金属衬底。数据操作方法步骤简单，能够实现高效的整体擦除。本发明所提供的存储器具有较低的源极电阻值，器件性能较优，操作步骤简单，效率较高。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：复合衬底，所述复合衬底包括金属衬底以及形成在所述金属衬底上的第一半导体层，所述第一半导体层为第一掺杂类型；堆叠层，形成在所述复合衬底上，所述堆叠层包括沿垂直于所述复合衬底的方向间隔设置的若干层栅极层；穿过所述堆叠层的沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层；位于所述第一半导体层内的第二掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区与所述金属衬底形成欧姆接触，以使所述存储器的公共源极至少包含所述第一半导体层、所述金属衬底。