[发明专利]SOI衬底、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了SOI衬底、半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：SOI衬底，该SOI衬底的顶层硅与氧化层的接触面上存在凹陷区域，所述凹陷区域位于有源区；位于顶层硅中的隔离结构；位于顶层硅上方的栅极结构，该栅极结构包括：栅极，以及位于栅极两侧顶层硅中的源区和漏区；覆盖所述顶层硅、所述栅极结构以及所述侧壁的层间电介质层；位于所述凹陷区域上方并贯穿所述层间电介质层和所述顶层硅的孔；填充所述凹陷区域的石墨层以及填充所述孔的石墨柱。根据本发明有利于抑制SOI结构的浮体效应。

主权项

1.一种SOI衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底，所述第一硅衬底具有隐埋的氢注入层；对所述第一硅衬底的第一表面进行刻蚀以形成凹陷区域，所述凹陷区域位于有源区，所述刻蚀未到达所述氢注入层；对所述第一硅衬底的所述第一表面与第二硅衬底的氧化层表面进行键合，所述第二硅衬底包括底硅层和位于所述底硅层上方的氧化层；对所述氢注入层执行退火操作以剥离所述第一硅衬底中未键合一侧的硅层，所述第一硅衬底中与所述第二硅衬底的氧化层表面键合的一侧的硅层作为所述SOI衬底的顶层硅。