[发明专利]一种三元钴镍钼氧化物在石墨烯上原位生长的复合材料及其两步合成法有效
| 申请号： | 201810343599.7 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108428562B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王艳;陈泽祥;张继君;闫欣雨;周智雨;吕慧芳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/32 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋秀清 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三元钴镍钼氧化物在石墨烯上原位生长的复合材料及其两步合成法，涉及石墨烯与金属氧化物复合材料领域，所述复合材料以石墨烯为基底，所述石墨烯基底上原位生长结合有棒状结构的氧化钴纳米棒；所述氧化钴纳米棒上原位生长结合有棒状结构的镍钼氧化物纳米棒。本发明提供的复合材料，极薄的石墨烯增大了材料的比表面积，增大了活性材料的利用率；石墨烯将氧化钴材料连接在一起，使得材料整体导通，避免了因导电能力弱引起的材料失效情况；层次分明的结构避免了材料的团聚现象，形成了三维疏松多孔的形貌，进一步增大了材料的比表面积，使得材料电容量得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 原位生长 复合材料 两步合成法 棒状结构 钼氧化物 纳米棒 氧化钴 钴镍 复合材料领域 形貌 金属氧化物 氧化物纳米 氧化钴材料 层次分明 导电能力 活性材料 石墨烯基 疏松多孔 团聚现象 电容量 导通 基底 镍钼 三维 | ||
【主权项】：
1.一种三元钴镍钼氧化物在石墨烯上原位生长的复合材料，其特征在于：所述复合材料以石墨烯为基底，所述石墨烯基底上原位生长结合有棒状结构的氧化钴纳米棒；所述氧化钴纳米棒上原位生长结合有棒状结构的镍钼氧化物纳米棒；/n其制备方法包括以下步骤：/n1)称取石墨烯，加水进行充分搅拌与超声，得到石墨烯溶液；/n2)称取Co(NO
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810343599.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：煤基硼掺杂纳米炭片电极材料及其制备方法
- 下一篇：一种锂离子电池电容
