[发明专利]基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201810341058.0 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108493098A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 孙华斌;刘奥;朱慧慧;徐勇 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L21/16 | 分类号： | H01L21/16;H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 徐振兴;姚姣阳 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法，首先利用“溶胶凝胶法”制备超薄ZrO2高k介电薄膜代替传统SiO2作为p型TFT器件的栅介电层；然后采用相同溶液加工技术制备CuI半导体沟道层，紫外‑可见光吸收能谱测试表明CuI薄膜具有极强的紫外吸收能力；最后通过热蒸发法制备源、漏电极，完成基于高k介电层的p型CuI/ZrO2薄膜晶体管的制备，制得的产物具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜晶体管 低温溶液 碘化物 高性能CMOS器件 半导体沟道层 紫外吸收能力 可见光吸收 溶胶凝胶法 高k介电层 操作电压 电学性能 介电薄膜 科学基础 溶液加工 栅介电层 低功耗 漏电极 热蒸发 备源 能谱 薄膜 测试 | ||
【主权项】：
1.基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法,其特征在于：以乙腈作为溶剂、以CuI作为溶质，采用旋涂工艺并结合紫外光退火技术在接近室温条件下制备p型CuI半导体薄膜，并进一步制备成CuI薄膜晶体管的沟道层；用低阻硅作为衬底，用ZrO2超薄高k介质薄膜替代传统的SiO2栅介电层，制备成p型金属碘化物薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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