[发明专利]基于P-GaN HEMT T型栅高频器件结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810335421.8 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108346695A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于P‑GaN HEMT T型栅高频器件结构及其制备方法和应用。所述基于P‑GaN HEMT T型栅高频器件结构包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；形成于所述异质结上的P型半导体和氧化层，所述氧化层位于P型半导体与源极或漏极之间；以及源极、漏极和栅极；源极、漏极与异质结形成欧姆接触述P型半导体位于栅下区域且与栅极连接，栅极的长度大于P型半导体的长度，P型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气；所述源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。本发明不需要对器件栅下区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和损伤等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 异质结 漏极 源极 二维电子气 高频器件 下区域 制备方法和应用 氧化层 刻蚀工艺 欧姆接触 栅极连接 电连接 均匀性 带隙 刻蚀 耗尽 损伤 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于P‑GaN HEMT T型栅高频器件结构，其特征在于包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结中形成有二维电子气；形成于所述异质结上的P型半导体和氧化层，所述氧化层位于P型半导体与源极、漏极中任一者之间的区域；以及源极、漏极和栅极；所述源极、漏极与异质结形成欧姆接触；所述P型半导体位于栅下区域且与栅极连接，且所述栅极的长度大于P型半导体的长度，所述P型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气；所述源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。
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