[发明专利]一种基于线圈偏置的AMR线性传感器及其设计方法在审
| 申请号： | 201810330827.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108267632A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 余涛;杨华 | 申请（专利权）人： | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550081 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于线圈偏置的AMR线性传感器的设计方法，将AMR线性传感器的基本结构的惠斯通电桥重新布置，具体的，将上两组桥线按照与水平方向成45°角或135°角设计，下面两组电桥与上面两组电桥对称设置，将磁敏薄膜覆盖在AMR线性传感器上并定形，并在磁敏薄膜上先生长一层氮化硅保护层，然后再在上面生长一层A1电极并光刻出图形，当被测试电流产生的磁感应强度|Hy|方向变化时，|导致磁敏薄膜内部磁矩方向与薄膜电流方向夹角发生改变，从而导致薄膜电阻发生变化，导致电桥输出一个电压值，根据这个电压值可以推算出被测电流的大小和方向，本发明能够降低制备工艺难度，增加AMR传感器的测量范围，既解决了霍尔传感器灵敏度低的问题，又解决了AMR传感器测量范围窄的问题，大大增加AMR传感器的应用领域和范围，具有良好的社会价值和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 线性传感器 磁敏 两组 薄膜 电桥 偏置 测量 定形 氮化硅保护层 惠斯通电桥 霍尔传感器 薄膜电阻 薄膜覆盖 测试电流 电流方向 电桥输出 对称设置 方向变化 制备工艺 重新布置 磁感应 灵敏度 电极 磁矩 光刻 桥线 推算 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于线圈偏置的AMR线性传感器的设计方法，其特征在于：将AMR线性传感器的基本结构的惠斯通电桥重新布置，具体的，将上两组桥线按照与水平方向成45°角或135°角设计，下面两组电桥与上面两组电桥对称设置，将磁敏薄膜覆盖在AMR线性传感器上并定形，并在磁敏薄膜上先生长一层氮化硅保护层，然后再在上面生长一层A1电极并光刻出图形，当线圈通电后，会在电桥左右两边产生大小相等，方向相反的水平方向的磁场，且磁感应强度与线圈电流成正比；此时|H1|=|H2|=Hx，当被测试电流产生的磁感应强度|Hy|方向变化时，|H1和|H2|两个磁场产生的和磁场方向会逐渐发生变化，导致磁敏薄膜内部磁矩方向与薄膜电流方向夹角发生改变，从而导致薄膜电阻发生变化，导致电桥输出一个电压值，根据这个电压值可以推算出被测电流的大小和方向。
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