[发明专利]接触孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有多个侧面形成有侧墙且两侧形成有源漏区的栅极结构的半导体衬底；步骤二、形成硬掩膜层；步骤三、对硬掩膜层进行光刻刻蚀，刻蚀后的硬掩膜层位于后续形成的源区或漏区顶部的接触孔的至少一侧的栅极结构的表面；步骤四、形成层间膜；步骤五、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤六、对接触孔的形成区域的层间膜进行刻蚀形成接触孔的开口，源区和漏区顶部的接触孔的开口的底部的至少一侧面由硬掩膜层和对应的侧墙自对准定义；步骤七、在接触孔的开口中填充金属。本发明能实现源漏区顶部的接触孔的底部自对准，防止源漏区顶部的接触孔和栅极结构相接触。

主权项

1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在各所述栅极结构的两侧形成有源区和漏区，且所述源区或所述漏区为相邻的两个所述栅极结构共用；在各所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、形成硬掩膜层；步骤三、对所述硬掩膜层进行光刻刻蚀，刻蚀后的所述硬掩膜层位于后续形成的所述源区或漏区顶部的接触孔的至少一侧的所述栅极结构的表面；所述硬掩膜层的材料和所述侧墙的材料相同且都和后续的层间膜的材料不同且所述硬掩膜层的材料能作为所述层间膜刻蚀时的停止层；所述硬掩膜层和对应的所述栅极结构两侧的侧墙连接在一起形成对应的所述接触孔的底部的自对准边界；所述栅极结构顶部的接触孔的形成区域的所述硬掩膜层去除；步骤四、形成层间膜，所述层间膜将所述栅极结构之间的间隔完全填充并延伸到所述栅极结构的顶部；步骤五、光刻定义出接触孔的形成区域，所述接触孔包括位于所述栅极结构顶部的接触孔、位于所述源区顶部的接触孔和位于所述漏区顶部的接触孔；步骤六、对所述接触孔的形成区域的所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口，所述源区和所述漏区顶部的所述接触孔的开口的底部的至少一侧面由所述硬掩膜层和对应的所述侧墙自对准定义，防止所述接触孔的光刻工艺偏移时发生所述源区和所述漏区的所述接触孔和对应的所述栅极结构相短路接触；步骤七、在所述接触孔的开口中填充金属形成所述接触孔。