[发明专利]一种二维纳米片及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201810327413.9 申请日: 2018-04-12
公开(公告)号: CN110371932A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 郑健;王少芝 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
主分类号: C01B17/20 分类号: C01B17/20;C01G23/00;C01G35/00;C01G39/06;C01G41/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞;谢怡婷
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种二维纳米片及其制备方法和用途,本发明是通过溶液剥离的手段,制备了片层尺寸大、质量高、缺陷少且以单层为主的二维纳米片。并利用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜表征了二维纳米片的形貌。利用拉曼光谱表征了溶液剥离得到的二维纳米片和化学气相沉积法得到的二维纳米片具有同样高的晶体质量。利用红外透射光谱表征了有机物对二维纳米片的成功修饰。研究结果表明通过该方法合成的二维纳米片具有尺寸大、质量高、缺陷少、易于修饰等优点。
搜索关键词: 二维纳米片 制备 修饰 剥离 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 化学气相沉积 原子力显微镜 形貌 光学显微镜 拉曼光谱 透射光谱 有机物 单层 片层 合成 成功 研究
【主权项】:
1.一种二维纳米片的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)将体材料与烷基锂混合,反应,制备得到烷基锂插层的体材料;2)将步骤1)的烷基锂插层的体材料洗涤,分散于分散介质中,制备得到含有二维纳米片的分散液。
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