[发明专利]取传感器光窗的装置及工艺在审
| 申请号: | 201810326849.6 | 申请日: | 2018-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN108417596A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 于渝 | 申请(专利权)人: | 重庆港宇高科技开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 尹丽云 |
| 地址: | 401121 重庆市北部新区星*** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及感光元件技术领域,特别是涉及一种取传感器光窗的装置及工艺。该装置包括底座,所述底座上安装有用于固定和加热传感器的加热台,所述底座上还安装有用于摘取传感器光窗的摘取机构。本发明的有益效果是:通过加热台加热融化固定光窗的光学树脂,有利于避免损坏传感器,提高摘取光窗的效率以及产品的合格率,降低了成本。 | ||
| 搜索关键词: | 光窗 传感器 底座 摘取 加热台 加热传感器 感光元件 光学树脂 加热融化 合格率 | ||
【主权项】:
1.一种取传感器光窗的装置,其特征在于:包括底座,所述底座上安装有用于固定和加热传感器的加热台,所述底座上还安装有用于摘取传感器光窗的摘取机构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆港宇高科技开发有限公司,未经重庆港宇高科技开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810326849.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像传感器及其形成方法
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





