[发明专利]一种三氧化铟改性二氧化钛纳米管阵列电极的制备方法有效
申请号: | 201810321448.1 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108455709B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 孙治荣;麻晓越 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461;C02F1/30;C25D11/26;C25D3/54;C25D5/48;C02F101/30;C02F101/34 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种三氧化铟改性二氧化钛纳米管阵列电极的制备方法,属于光电化学领域。本发明将氟化铵溶解于乙二醇‑水的混合溶液中,制备成电解质溶液;以表面刻蚀后的钛片为阳极,铂片为阴极,采用恒电压阳极氧化方法在钛片表面氧化制备TiO |
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搜索关键词: | 一种 氧化 改性 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三氧化铟(In2O3)改性的二氧化钛纳米管阵列电极制备方法,其特征在于,按照下述步骤进行:(1)首先采用阳极氧化法在Ti片上制备二氧化钛纳米管阵列电极,记为TiO2NTs/Ti电极;(2)配制0.01~0.05mol/L的硝酸铟电镀溶液,调节溶液pH为1.3~5.0,将步骤(1)中制备的TiO2NTs/Ti电极在电镀液中浸渍20~40min,然后以TiO2NTs/Ti电极为阴极,铂片为阳极,在1~5mA/cm2的恒定电流密度下电沉积1~5min;用去离子水清洗干净后,放置于恒温鼓风干燥箱中干燥,干燥后取出冷却至室温,然后置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至450℃~600℃,恒温煅烧2h,冷却至室温后,用去离子水清洗,室温干燥,得到In2O3‑TiO2NTs/Ti电极。
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